[发明专利]光致抗蚀剂残渣、聚合物残渣除去组合物和残渣除去方法无效
| 申请号： | 200510092787.X | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1920671A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 秦贵乡;大和田拓央 | 申请（专利权）人： | 关东化学株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种除去具有由铝或铝合金形成的金属布线的半导体基板在干蚀刻后和灰化后残留的光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的组合物，以及使用该组合物的残渣除去方法。所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣除去组合物含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水，所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的除去方法包括，其使用含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂 残渣 聚合物 除去 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣的除去组合物，所述光致抗蚀剂残渣和聚合物残渣是具有由铝或铝合金形成的金属布线的半导体基板在干蚀刻后和灰化后所残留的，所述组合物含有至少1种除氢氟酸以外的氟化合物、至少1种磺酸类和水。
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