[发明专利]具有电阻尖端的半导体探针及其制造方法

摘要

提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。

主权项

1.一种半导体探针，包括：具有半四棱锥形状并掺杂第一杂质的尖端；具有自由端的悬臂，所述尖端设置在该自由端上；形成在所述尖端的尖峰处并被第二杂质轻掺杂的电阻区，所述第二杂质与所述第一杂质极性相反；以及，形成在所述尖端的倾斜侧面上并彼此分离的第一和第二半导体电极区，所述第一和第二半导体电极区被所述第二杂质重掺杂，并且所述第一和第二半导体电极区电连接到所述电阻区。