[发明专利]遮蔽掩模图案的形成方法有效
| 申请号： | 200510092324.3 | 申请日： | 2005-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN1800970A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 金振圭;韩尚辰;康熙哲;姜有珍 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种遮蔽掩模图案的形成方法，其在施加有拉力的状态下首先焊接在掩模框上，利用激光形成蒸镀图案，由此容易制作大面积的掩模，并且加工步骤及设备简单，能够缩短加工时间。本发明的遮蔽掩模图案的形成方法包括使遮蔽掩模(10)附着在掩模框(20)上的步骤、在所述已附着的遮蔽掩模(10)上形成图案的步骤，另外，使所述遮蔽掩模(10)附着在所述掩模框(20)上的步骤包括使所述遮蔽掩模(10)与所述掩模框(20)邻接的步骤、向所述遮蔽掩模(10)施加外力的步骤、在所述掩模框(20)上接合施加有外力的所述遮蔽掩模(10)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 遮蔽 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种遮蔽掩模图案的形成方法，其特征在于，包括：使遮蔽掩模附着在掩模框上的步骤；在所述已附着的遮蔽掩模上形成图案的步骤。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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