[发明专利]像素结构有效
| 申请号： | 200510092063.5 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1731256A | 公开（公告）日： | 2006-02-08 |
| 发明（设计）人： | 胡至仁;张志明;吴明洲 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半穿透半反射像素结构，其包括有源器件、储存电容器、透明电极以及第一反射电极。储存电容器包括下电极、浮置电极以及上电极。上电极配置于下电极与浮置电极上方，且与有源器件电性连接。透明电极与上电极电性连接。第一反射电极与浮置电极电性连接，且与透明电极电性绝缘。基于上述，本发明所提出的半穿透半反射像素结构可改善单元间距式半穿透半反射液晶显示面板的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半穿透半反射像素结构，包括：有源器件；储存电容器，包括：下电极；浮置电极；上电极，配置于该下电极与该浮置电极上方，且与该有源器件电性连接；透明电极，与该上电极电性连接；以及第一反射电极，与该浮置电极电性连接，其中该第一反射电极与该透明电极电性绝缘。
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