[发明专利]自行对准接触窗开口的制作方法与半导体元件

摘要

一种自行对准接触窗开口的制作方法，先提供一基底，此基底上已形成有多个元件结构，且这些元件结构的顶部高于基底的表面。然后，于基底与元件结构的表面上依序形成第一介电层与导体层。接着，去除元件结构顶部以及侧壁上的部分导体层，并于元件结构的裸露侧壁上形成多个第一间隙壁。以第一间隙壁为掩模，去除裸露的导体层与第一介电层，而暴露出基底，并形成多个导体间隙壁。于导体间隙壁的侧壁上形成多个第二间隙壁。

主权项

1、一种自行对准接触窗开口的制作方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有多个元件结构，且该些元件结构的顶部高于该基底的表面；于该基底与该些元件结构的表面上依序形成一第一介电层与一导体层；去除该些元件结构的顶部以及侧壁上的部分该导体层；于该些元件结构的裸露侧壁上形成多个第一间隙壁；以该些第一间隙壁为掩模去除裸露的该导体层与该第一介电层，而暴露出该基底，并使保留下来的该导体层形成多个导体间隙壁；以及于该些导体间隙壁的侧壁上形成多个第二间隙壁。