[发明专利]栅介电层的制造方法

摘要

一种栅介电层的制造方法，首先提供一基底，基底至少可区分为一高压电路区与一低压电路区。然后，于基底上形成第一介电层，第一介电层作为高压电路区中栅介电层之用。之后，于第一介电层上形成掩模层，并图案化掩模层、第一介电层及基底，以于基底中形成沟槽。然后，于基底上形成填满沟槽的绝缘层。移除掩模层与部分绝缘层，暴露出第一介电层的表面。继而，移除低压电路区的第一介电层，暴露出基底的表面。接着，于低压电路区的基底上形成第二介电层，第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。

主权项

1、一种栅介电层的制造方法，包括：提供一基底，该基底至少区分为一高压电路区与一低压电路区；于该基底上形成一第一介电层，该第一介电层作为该高压电路区中的栅介电层之用；于该第一介电层上形成一掩模层；图案化该掩模层、该第一介电层与该基底，以于该基底中形成一沟槽；于该基底上形成一绝缘层以填满该沟槽；移除该掩模层，暴露出该第一介电层的表面；移除该低压电路区的该第一介电层，暴露出该基底的表面；以及于该低压电路区的该基底上形成一第二介电层，该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度。