[发明专利]半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200510092039.1 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917171A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 简财源;赖亮全 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，在导体层覆盖前，于隔离结构上覆盖一材料层，上述的材料层优选是使用具有流动性的有机材料，可使得位于隔离结构之间的材料层厚度大于位于隔离结构顶部的材料层厚度，以有效回蚀隔离结构。然后，移除隔离结构顶部的材料层，并且移除隔离结构的一部分结构，以降低隔离结构的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的制造方法，该方法包括：于一基底上形成多个隔离结构，以定义出一有源区，其中该些隔离结构的顶部高于该基底表面；于该有源区的该基底中形成多个元件结构，其中该些元件结构于制作时，需利用该些隔离结构来定义一高度；于该基底上形成一材料层，以至少覆盖该些隔离结构；移除该些隔离结构顶部的该材料层，并且移除该些隔离结构的一部份结构，以降低该些隔离结构的高度；以及于该些元件结构上形成一导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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