[发明专利]薄膜晶体管与画素结构的制造方法有效
| 申请号： | 200510091675.2 | 申请日： | 2005-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1916740A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 姚启文 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L21/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李树明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，包含：先在一基板上形成一多晶硅层，且于多晶硅层上形成一光阻层，其中光阻层具有一图案以暴露出部分该多晶硅层，且该图案具有不同厚度。以光阻层为一蚀刻罩幕，而图案化多晶硅层，以定义出一多晶硅岛状物。之后移除光阻层的部分厚度，以暴露出局部的多晶硅岛状物。接着对局部暴露出的多晶硅岛状物进行一离子植入步骤，以形成一源极/漏极。移除剩余的光阻层之后，在基板与多晶硅岛状物上分别形成一闸绝缘层、一栅极、一图案化介电层与一导体层，以完成薄膜晶体管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)在一基板上形成一多晶硅层；(2)于该多晶硅层上形成一光阻层，其中该光阻层具有一图案以暴露出部分该多晶硅层，且该图案具有不同厚度；(3)以该光阻层为一蚀刻罩幕，图案化该多晶硅层，以定义出一多晶硅岛状物；(4)移除该光阻层部分厚度，以暴露出局部的该多晶硅岛状物；(5)对局部暴露出的该多晶硅岛状物进行一第一离子植入步骤，以形成一源极/漏极，而该源极/漏极之间即是一通道区；(6)移除剩余的该光阻层；(7)在该基板及该多晶硅岛状物上形成一闸绝缘层；(8)在该闸绝缘层上形成一栅极；(9)在该栅极上形成一图案化介电层，其中该图案化介电层暴露出部分的该源极/漏极；以及(10)在该图案化介电层上形成一导体层，而该导体层是与该源极/漏极电性连接。
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