[发明专利]用于制造磁电阻元件的方法和设备有效
| 申请号： | 200510091449.4 | 申请日： | 2005-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1746980A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;鸿井克彦;汤浅裕美;桥本进;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件具有磁性被钉扎层、磁性自由层、和包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径的间隔层。该方法中形成间隔层的步骤包括：沉积形成金属路径的第一金属层、沉积第二金属层以转变为第一金属层上的绝缘层、执行用稀有气体的离子束或RF等离子体照射第二金属层的预处理、以及通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 磁电 元件 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁电阻元件的方法，该磁电阻元件包括其磁化方向基本上被钉扎在一个方向上的磁性被钉扎层、其磁化方向随外场而变化的磁性自由层、和间隔层，该间隔层包括设置在该磁性被钉扎层和该磁性自由层之间的绝缘层与穿入该绝缘层的电流路径，该方法包括：在第一金属层上沉积第二金属层；和使第一金属层穿入第二金属层来作为金属路径并且通过供应氧化气体或氮化气体将第二金属层转变为绝缘层。
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