[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明的半导体存储装置的电容器包括：覆盖存储节点孔(9)的底面，将侧面覆盖到比第2层间绝缘膜(8)的上面的高度低的高度的下部电极(10)；覆盖下部电极之上的电容绝缘膜(11)；覆盖电容绝缘膜(11)之上的上部电极(12)。在该结构中，即使旨在形成比特线触点(14)的开口(17)错位达到电容器，积蓄电容的部分的电容绝缘膜也不会露出来。因此，能够抑制泄漏电流的产生。另外，由于不需要在存储节点孔(9)和开口(17)之间设置余量，所以能够在实现细微化的同时，还能在将存储单元尺寸保持一定的状态下，增加能够保持的电容。提供能够一面实现细微化一面抑制泄漏电流，而且还能够保持较多的电容的DRAM混载半导体装置。

主权项

1、一种半导体存储装置，具有覆盖设置在绝缘膜的一部分上的槽的表面的电容器，其特征在于：所述电容器包括：下部电极，其覆盖所述槽的底面之上，并将所述槽的侧面之上覆盖到比所述绝缘膜的上面低的高度；电容绝缘膜，其覆盖所述下部电极之上，和所述槽的侧面上比被所述下部电极覆盖的部分更高的部分；以及上部电极，其设置在所述电容绝缘膜之上，隔着所述电容绝缘膜，覆盖所述槽的侧面上比被所述下部电极覆盖的部分更高的部分。