[发明专利]电子发射装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200510091366.5 | 申请日: | 2005-05-30 |
| 公开(公告)号: | CN1750229A | 公开(公告)日: | 2006-03-22 |
| 发明(设计)人: | 黄成渊 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J29/02;H01J29/04;H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种电子发射显示装置通过采用形成在厚的绝缘层上的小的栅极孔能够对电子发射区域发射的电子进行聚焦。电子发射装置包括基板,形成在基板上的阴极,形成在阴极上的绝缘层,形成在绝缘层上的栅极,以及形成在阴极上的电子发射区域。在该电子发射装置中,绝缘层包括第一绝缘层和部分地形成在第一绝缘层上的至少一个第二绝缘层,并且,栅极具有沿该绝缘层的一个表面的台阶部分以及连接该台阶部分的上、下端部分的倾斜部分。这样,具有上述结构的电子发射装置,形成在栅极孔的周围的栅极的倾斜部分能够对电子发射部分发射的电子进行聚焦,使得对比度和着色提高,从而在没有分离的或特殊的聚焦电极的情况下实现高清晰度的图像。 | ||
| 搜索关键词: | 电子 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种电子发射装置,包括:一基板;按照第一方向形成在该基板上的多个阴极;形成在该阴极上的绝缘层;按照第二方向形成在该绝缘层上的多个栅极;形成在至少一个阴极上的多个电子发射区域,其中该绝缘层包括一第一绝缘层和部分地形成在该第一绝缘层上的至少一个第二绝缘层,以及其中至少一个栅极具有台阶部分和连接台阶部分的上、下端部分的倾斜部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510091366.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。





