[发明专利]浮动栅极非易失性存储器及其制作方法

摘要

一种浮动栅极非易失性存储器包括：半导体衬底(1)，在其中活性区(2)和绝缘电介质(3)以第一方向交替排列；沿第一方向上延伸的字线，以便与活性区(2)和绝缘电介质(3)相交；设置在各个活性区(2)和字线(4)之间的浮动栅极(5)；以及与在活性区(2)中形成的扩散层(9，13)分别相连的触点(11，12)，触点(11，12)沿第一方向排列。触点(11，12)包括漏极触点(11)和源极触点(12)，并且扩散层(9，13)包括漏极扩散层(9)和源极扩散层(13)。半导体衬底(1)包含沿第一方向延伸的导电源极区(14)和嵌入扩散层(15)。源极区(14)与字线(4)另一侧的触点(11)相对。嵌入扩散层(15)沿垂直于第一方向的第二方向，从源极区(14)延伸，以便连接到源极扩散层(13)。

主权项

1、一种浮动栅极非易失性存储器，包括：半导体衬底，其中沿第一方向交替排列活性区和绝缘电介质；沿所述第一方向延伸的字线，以便与所述活性区和所述绝缘电介质相交；设置于所述各个活性区和所述字线之间的多个浮动栅极；以及与所述活性区内形成的扩散层相连的多个触点，所述多个触点沿所述第一方向排列，其中所述多个触点包括漏极触点和源极触点，所述扩散层包括与所述漏极触点相连的漏极扩散层和与源极触点相连的源极扩散层，其中所述半导体衬底包括：沿所述第一方向延伸的导电源极区，所述源极区与所述字线另一边的所述多个触点相对；以及沿垂直于第一方向的第二方向，从所述源极区延伸的嵌入扩散层，该层与所述源极扩散层相连。