[发明专利]光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法无效
| 申请号： | 200510090641.1 | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917161A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 李桂荣;郑厚植;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，特别是半导体低维量子结构中量子点的光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法。通过选择光激发下电容—电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。对半导体量子点器件的研制、开发和应用具有重要意义。对于含量子点的半导体多层异质结构，在选择光激发条件下，通过常规电容—电压测量，利用量子点和另一限制层(量子阱、量子线或量子点)之间的量子态隧穿耦合引起的电容谱特征结构，可以很容易得到量子点的电荷密度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 确定 半导体 量子 点电荷 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光电容法确定半导体量子点电荷密度方法，其特征是，通过选择光激发下电容—电压测量，利用低维半导体结构内部两层之间电子态隧穿耦合引起的光电容特征结构，来确定量子点电荷密度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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