[发明专利]化合物半导体防静电方法及具防静电能力的倒装片半导体组件无效
| 申请号： | 200510090309.5 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1913168A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张连璧;洪详竣;张庆安;苏崇智;李育箖;方博仁;邱显钦;王瑞瑜 | 申请（专利权）人： | 南亚光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种保护化合物半导体免于静电放电破坏的方法及具静电保护能力的倒装片半导体组件。该倒装片半导体组件包含一半导体部份及一保护部份，该半导体部份为该发光二极管半导体组件，该保护部份为一导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板，其中该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板的电极衬垫与电极衬垫之间具有电容性结构，该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板二电极分别与被保护的发光二极管半导体组件二电极电性结合而并联。在正常直流工作时，该保护部份的电极与电极之间几乎呈开路状态，当静电来袭时，该保护部份形成为过多电压的放电路径，以达静电保护功能。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 静电 方法 能力 倒装 组件 | ||
【主权项】：
1.一种保护化合物半导体免于静电放电破坏的方法，其特征在于，其包括下列步骤：形成该发光二极管半导体于一基板上，其中该发光二极管半导体具有一多层结构及第一与第二电极；形成一导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板，其中该导电层绝缘层导电层(CIC)基板上具有第一及第二电极；及分别电性连结该发光二极管半导体组件的第一及第二电极至该导电层绝缘层导电层(CIC)电容倒装片基板的第一及第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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