[发明专利]薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510090098.5 | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1913110A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 邓德华;方俊雄 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制造方法，其先在基板上形成非晶硅层。接着，将非晶硅层转变为多晶硅层。然后，对于多晶硅层进行热工艺，以修补多晶硅层的晶格缺陷。之后，对多晶硅层进行离子植入工艺。接着，在基板上形成栅绝缘层，以覆盖多晶硅层。然后，在栅绝缘层上形成栅极，其中栅极是位于多晶硅层上方。接着，于栅极两侧下方之多晶硅层内形成源极/漏极，而该源极/漏极之间即是通道区。在基板上形成图案化介电层，而图案化介电层暴露出部分源极/漏极。在图案化介电层上形成源极/漏极金属，其中源极/漏极金属分别与源极/漏极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征是包括：在基板上形成非晶硅层；将该非晶硅层转变为多晶硅层；对于该多晶硅层进行热工艺，以修补该多晶硅层的晶格缺陷；对该多晶硅层进行离子植入工艺；在该基板上形成栅绝缘层，以覆盖该多晶硅层；在该栅绝缘层上形成栅极，其中该栅极是位于该多晶硅层上方；在该栅极两侧下方之该多晶硅层内形成源极/漏极，而该源极/漏极之间即是通道区；在该基板上形成图案化介电层，其中该图案化介电层暴露出部分该源极/漏极；以及在该图案化介电层上形成源极/漏极金属，其中该源极/漏极金属分别与该源极/漏极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
