[发明专利]改善元件效能的几何最佳化间隙壁无效
| 申请号： | 200510090004.4 | 申请日： | 2005-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1797785A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陶宏远;徐祖望;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种改善元件效能的几何最佳化间隙壁，一种具有梯形间隙壁的互补金属氧化物半导体元件及其制造方法，制造方法具有改良的关键尺寸控制方法与改良的自动对准硅化金属制程，此互补金属氧化物半导体元件包括一半导体基板；一闸极结构至少包括位于半导体基板上的一闸介电层及位于此闸介电层上的一闸极；一梯形间隙壁邻接于闸极结构的两侧，此梯形间隙壁邻接此闸极的一内缘处具有一最大高度，最大高度低于闸极的上方部分以暴露出闸极侧壁部分。本发明的制造方法具有改良的关键尺寸控制及改良的自动对准硅化金属。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 元件 效能 几何 最佳 间隙 | ||
【主权项】：
1、一种具有梯形间隙壁的互补金属氧化物半导体元件，其特征在于其至少包括：一半导体基板；一闸极结构至少包括一闸介电层位于该半导体基板上及一闸极位于该闸介电层上；以及梯形间隙壁邻接于闸极结构的两侧；其中该梯形间隙壁具有一最大高度邻接该闸极的一内缘，该最大高度低于该闸极的上方部分以暴露出该闸极侧壁部分。
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