[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 200510089674.4 | 申请日： | 2005-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1750128A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 武隈育子;玉井一郎;平山义幸;细江让;本田好范 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667;G11B5/738;G11B5/84;H01F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明的目的是减少氧化物粒状介质的颗粒间交换耦合并获得高介质S/N值，由此达到大于每平方厘米23千兆位以上的面记录密度。为此目的，形成包含在基片上按顺序层压软磁底层、包括钌的下中间层、由钌晶粒和氧化物晶界组成的上中间层以及由晶粒和氧化物晶界组成的磁记录层的结构，在上中间层的钌晶粒上外延生长磁记录层的晶粒，并且在上中间层的晶界上生长磁记录层的晶界。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁记录介质，包含：基片；软磁底层，其沉积在所述基片上；下中间层，其包含钌，沉积在所述软磁底层上；上中间层，其沉积在所述下中间层上，由钌晶粒和氧化物晶界组成；磁记录层，其沉积在所述上中间层上，由晶粒和氧化物晶界组成；其中，所述磁记录层的晶粒在所述上中间层的钌晶粒上外延生长，并且所述磁记录层的晶界在所述上中间层的晶界上生长。
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