[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510089632.0 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1725513A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;矶部敦生;山口哲司;乡户宏充 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明中，低浓度杂质区形成在半导体层中的沟道形成区与源区或漏区之间，且被薄膜晶体管中的栅电极层覆盖。利用栅电极层作掩模，倾斜于半导体层的表面掺杂半导体层以形成低浓度杂质区。形成半导体层，以具有包括赋予一种导电类型的杂质元素的杂质区，该导电类型不同于薄膜晶体管的导电类型，由此能够精确地控制薄膜晶体管的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体层，具有沟道形成区、源区、漏区和形成于沟道形成区与源区之间的杂质区，其中沟道形成区和漏区彼此接触；栅绝缘层，形成于半导体层的上方；以及栅电极层，形成于沟道形成区和杂质区的上方，栅绝缘层介于其间。
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