[发明专利]晶片缺陷侦测方法与系统无效
| 申请号： | 200510089500.8 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1917160A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 林龙辉;詹丽玉 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶片缺陷侦测方法。于一晶片上洒上多个定位粒子。对上述晶片执行一扫描检测操作，以取得该晶片上的多个缺陷的位置信息，其中每一位置信息存在有一误差值。对该些定位粒子进行扫描检测，以得到该些定位粒子的位置信息。根据每一定位粒子的位置信息计算并取得与其对应的每一缺陷的偏移位置信息，并且根据计算所得的偏移位置信息修正每一缺陷的误差值。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 缺陷 侦测 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种晶片缺陷侦测方法，包括下列步骤：于一晶片上洒上多个定位粒子；对上述晶片执行一扫描检测操作，以取得该晶片上的多个缺陷的位置信息，其中每一位置信息存在有一误差值；对该些定位粒子进行扫描检测，以得到该些定位粒子的位置信息；根据每一定位粒子的位置信息计算并取得与其对应的每一缺陷的偏移位置信息；以及根据计算所得的偏移位置信息修正每一缺陷的误差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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