[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 200510089468.3 | 申请日： | 2005-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1741284A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 加藤树理 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，既能缓解场电极的配置制约，又能形成场电极。在半导体基板(101)上依次形成绝缘层(102)、半导体层(103)、绝缘层(104)和半导体层(105)，在半导体层(105)上配置栅电极(107)，同时通过在半导体层(105)上形成源极层(109a)和漏极层(109b)，在半导体层(105)上形成电场效应型晶体管，通过介由接触区域(C1)，将栅电极(107)与半导体(103)连接，在半导体层(105)的背面侧配置场电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：在半导体层上形成的栅电极；在上述半导体层上形成、并配置在上述栅电极侧方的源极/漏极层；和在上述半导体层背面侧，介由绝缘层配置的场电极。
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