[发明专利]半导体存储装置及其测试方法

摘要

本发明涉及一种具有与DRAM相同的存储单元、以SRAM技术条件动作的半导体存储装置，其目的是提供一种芯片尺寸小、消耗功率低、价格便宜，并且不会由于地址中含有时滞而引起访问的延迟和存储单元破坏的半导体存储装置。ATD电路(3)根据从外部发送的地址(Address)的变化使地址变化检测信号(ATD)生成单触发脉冲。此时，使地址的每个字节口生成单触发脉冲，然后进行合成，由此即使地址中含有偏差，也产生一次单触发脉冲。首先，更新控制电路(4)使用生成的更新地址(R_ADD)，在单触发脉冲的发生期间进行更新。然后，由于单触发脉冲下降，生成锁存控制信号(LC)，将地址取出到锁存器(2)，对存储单元阵列(6)进行访问。

主权项

1.一种半导体存储装置，具有需要更新的多个存储单元；更新控制电路，对所述更新进行控制；电源电路，向所述更新控制电路以及除自身电源电路以外在更新中所必需的预定电路提供电源；动作控制电路，当处于所述等待状态时，根据从使所述更新控制电路和所述电源电路双方动作的第一模式、使所述更新控制电路的动作停止同时使所述电源电路动作的第二模式、以及使所述更新控制电路和所述电源电路双方的动作停止的第三模式中选择的一种模式，使所述更新控制电路和所述电源电路动作，或者使其动作停止。