[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提出了一种突出地减小用作空隙的迁移路径的边界数目的半导体器件，因此能有效地抑制SIV故障和提高可靠性。在具有较宽宽度的第二铜互连110和第二铜互连126的顶表面上铜晶粒尺寸多达几十微米。因为第二铜互连110和第二铜互连126的每一个具有0.3μm至几十微米的线宽，因此在第二铜互连110和第二铜互连126的顶表面上仅仅出现少许边界。可以用作空隙迁移路径的边界的显著减小，使之可以抑制空隙在通孔113以及第二铜互连110和第二铜互连126每一个之间的界面处凝聚和结合，以及由此抑制形成大空隙。因此这使之可以有效地抑制SIV的产生。鉴于增加的EM电阻，较窄宽度的第一铜互连111和第一铜互连127具有主要由Cu(111)构成的表面取向，以及鉴于增加的SIV电阻，较宽宽度的第二铜互连110和第二铜互连126具有主要由Cu(200)构成的表面取向。

主权项

1.一种半导体器件包括：半导体衬底；设置在所述衬底上的绝缘膜；以及设置在所述绝缘膜中的相同水平面上的多个铜互连；其中所述的铜互连包括：具有较窄宽度的第一铜互连；以及具有较宽宽度的第二铜互连；所述第一铜互连具有主要由铜的(111)表面构成的顶表面，以及所述第二铜互连具有主要由铜的(200)表面构成的顶表面。