[发明专利]稀土纳米颗粒及纳米晶材料制备方法及其设备无效

专利信息
申请号: 200510089080.3 申请日: 2005-08-05
公开(公告)号: CN1743103A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 张久兴;岳明;宋晓艳;曾宏;张东涛;周美玲;左铁镛 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: B22F9/14 分类号: B22F9/14
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 张慧
地址: 100022*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明属纳米材料领域。颗粒制造:物理气相沉积,稀土为阳极,钨为阴极,氦气保护下,50-400A,10-50V,起弧0.5-5小时制成纳米颗粒。晶材料制造:上述纳米颗粒置入惰性气体保护的预处理室,装入模具预压成型,压力10-1000MPa;惰性气体保护下,放电等离子烧结:温度200-500℃,压力30-1000MPa,保温0-10min,升温速率为20-100℃/min。设备依次包括物理气相沉积部分(1),粉末捕集机构(2),传递机构(3),预处理部分(4),烧结成型部分(5),各部分均有真空泵和惰性气瓶,置入有惰性保护气氛的手套箱中;预处理部分(4)和烧结成型部分(5)有气体循环净化装置。本发明颗粒粒度均匀,粒径小于100纳米;晶块体材料致密度高,晶粒细小、均匀,单相性好。
搜索关键词: 稀土 纳米 颗粒 材料 制备 方法 及其 设备
【主权项】:
1、一种稀土纳米颗粒的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:用物理气相沉积技术将稀土原料制备成粉末状纳米颗粒,以纯度高于99.5wt%的高纯稀土元素作为阳极,金属钨作为阴极,在氦气的保护气氛下,选择电流50-400A,电弧电压10-50V,起弧时间0.5-5小时将原料制备成纳米颗粒。
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