[发明专利]储存元件的形成方法、半导体元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200510088877.1 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1855437A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈礼仁;苏金达;刘光文;吕前宏;罗兴安 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种储存元件的形成方法、半导体元件及其形成方法，该形成储存元件的方法包括以下步骤：提供一基板、在基板上提供多个功能部件、并在功能部件上形成富含硅的介电层。可以采用旋涂式玻璃(spin－on－glass，SOG)技术在富含硅的介电层上形成层间介电(inter－layerdielectric，ILD)或金属间介电(inter－metal dielectric，IMD)层，该富含硅的介电层可阻止在旋涂式玻璃技术中所使用的溶剂的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 元件 形成 方法 半导体 及其 | ||
【主权项】：
1、一种储存元件的形成方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板；在该基板上提供多数个功能部件；以及在该些功能部件上形成一富含硅的介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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