[发明专利]单一晶体管动态随机存取记忆体记忆胞及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种单一晶体管平面动态随机存取记忆体记忆胞及其制造方法，其具有增进的电荷保存时间与减少的漏电流。此方法至少包括提供一半导体基材，再于半导体基材上形成一闸极介电层。于闸极介电层上形成一平移晶体管结构，此平移晶体管结构相邻于一储存电容结构。于相邻于平移晶体管结构的各一侧形成复数个侧壁间隙壁介电层部分，以包括覆盖平移晶体管结构与储存电容结构间的一空间。形成一部分光阻罩幕覆盖平移晶体管结构，并暴露储存电容结构。进行一p型离子植入与趋入制程，以在储存电容结构下方的半导体基材中形成一p型掺杂通道区。具有减少的寄生漏电流、增进的电荷保存时间以及在操作电压上增进的效能。

主权项

1、一种单一晶体管平面动态随机存取记忆体(DRAM)元件，其特征在于其至少包括：一半导体基材；一闸极介电层位于该半导体基材上；一平移晶体管结构与相邻的一储存电容结构位于该闸极介电层上；复数个侧壁间隙壁介电层部分相邻于该平移晶体管结构的各一侧，以包括覆盖该平移晶体管结构与该储存电容结构间的一空间；以及一p型掺杂通道区于该半导体基材中，且该p型掺杂通道区位于该储存电容结构的下方。