[发明专利]半导体存储器件及其阵列内部电源电压产生方法

摘要

公开了用于在半导体存储器件中使用内部阵列电压产生器的方法和装置。在一个已描述的实施例中，仅在读出操作之前，使用过激励电平控制电路产生用于内部阵列电压产生器驱动器的过激励控制信号。过激励电平控制电路使用单元模拟电路，以便仅在读出操作之前估计该读出操作所需要的电流，并使用放大器，以便响应于所估计的电流需求产生过激励控制信号。例如，这样一种设计允许过激励信号量跟踪过程、电压和温度的变化，以便提供使内部阵列电压保持稳定的精确的过激励。描述并要求了其它实施例。

主权项

1、一种存储器件，包括：存储单元阵列；耦合到存储单元阵列的多个读出放大器；以及内部阵列电压产生器，将内部阵列电压至少提供到读出放大器，包括：第一驱动器，将内部阵列电压至少提供到读出放大器，模拟电路，包括：参考电容器和转换电路，在读出操作之前将参考电容器上的电压从第一电压电平向第二电压电平改变，该模拟电路输出与改变参考电容器电压相关的读出模拟信号，以及放大器，接收读出模拟信号并根据读出模拟信号将第一控制信号提供到第一驱动器，以便在读出操作开始之前提高内部阵列电压。