[发明专利]非挥发性记忆体的制造方法有效
| 申请号： | 200510087353.0 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1905162A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 薛铭祥;蔡世昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆体的制造方法，其是先于基底上依序形成第一介电层与虚拟闸极层。然后，定义虚拟闸极层以形成多个虚拟闸极。接着，以虚拟闸极为罩幕，于基底中形成一掺杂区。之后，于对应掺杂区的第一介电层上形成第二介电层。继之，移除虚拟闸极层，暴露出部分第一介电层表面。随后，于基底上方形成一导体层，以覆盖第二介电层与第一介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括：于一基底上形成一第一介电层；于该第一介电层上形成一虚拟闸极层；定义该虚拟闸极层，以形成多数个虚拟闸极；以该些虚拟闸极为罩幕，于该基底中形成一掺杂区；于对应该掺杂区的该第一介电层上形成一第二介电层；移除该些虚拟闸极，暴露出部分该第一介电层表面；以及于该基底上方形成一导体层，覆盖该第二介电层与该第一介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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