[发明专利]抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法无效
| 申请号： | 200510087181.7 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1737071A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 金大亨;洪锡敏;全宰贤;白云揆;朴在勤;金容国 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种抛光浆料及其制备方法和抛光基板的方法。具体的说，是一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光浆料。更具体的说，本发明提供了这种浆料的制备方法及其抛光基板的方法，此种浆料对≥256兆 D－RAM的超高集成半导体硅片(其厚度≤0.13μm)的浅槽隔离CMP生产工艺中做阻隔膜的氮化物层具有较高的选择性，并且减少了抛光表面的微观划痕现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 浆料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种抛光浆料，其特征在于通过改变抛光粒子的比表面积来最大限度地降低抛光粒子的结块程度，改善其分散稳定性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团，未经K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510087181.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
