[发明专利]一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体及制备方法无效
| 申请号： | 200510087072.5 | 申请日： | 2005-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN1905081A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王淑芳;周岳亮;赵嵩卿;韩鹏;陈正豪;吕惠宾;金奎娟;程波林;何萌;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01B1/00 | 分类号： | H01B1/00;H01B5/00;H01B12/00;H01B12/06;H01L39/12;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体，包括：在金属基带上生长的掺杂钛酸锶导电缓冲层，在缓冲层上生长的YBCO超导层；所述的掺杂钛酸锶包括掺铌钛酸锶SrTi1－xNbxO3、掺铟钛酸锶SrTi1－xInxO3或掺镧钛酸锶Sr1－xLaxTiO3，其中x为5mol％≤x≤30mol％。该制备方法利用脉冲激光沉积技术，先将反应室中氢氩混合气体的压强调整到1－5Pa，基片温度升高到700－800℃，沉积厚度约30－50nm的掺杂钛酸锶导电薄膜；再将反应室内的混合气体抽出，充入10－2Pa纯度为99.99％的高纯氧，保持温度不变，继续沉积厚度约100－500nm的掺杂钛酸锶导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 导电 缓冲 钇钡铜氧 涂层 导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有导电缓冲层的钇钡铜氧涂层导体，包括：金属基带、在金属基带上生长的导电缓冲层、在导电缓冲层上生长的YBCO超导层；其特征在于，所述的导电缓冲层为掺杂钛酸锶导电缓冲层，包括掺铌钛酸锶SrTi1-xNbxO3、掺铟钛酸锶SrTi1-xInxO3或掺镧钛酸锶Sr1-xLaxTiO3，其中x为5mol％≤x≤30mol％。
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