[发明专利]一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法无效
| 申请号： | 200510086830.1 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1752850A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张锦;冯伯儒;刘娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G02B27/60 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟;成金玉 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法，其特征是在传统三次曝光基础上，增加了沿－X方向和－Y方向两次偏置曝光，使参与成像的频谱成分更加丰富，有利于进一步提高光刻图形对比度和分辨率，并改善离焦情况下抗蚀剂图形特征的横向位移误差，提高图形空间位置精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 五次 曝光 成像 干涉 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1、采用五次曝光的成像干涉光刻方法，其特征在于包括下列步骤：(1)沿垂直于掩模的低空间频率曝光；(2)沿+X方向的高空间频率偏置曝光；(3)沿-X方向的偏置曝光，使该方向的频谱分量参与成像；(4)沿+Y方向的高空间频率偏置曝光；(5)沿-Y方向的偏置曝光，使该方向的频谱分量参与成像，从而实现五次曝光的成像干涉光刻方法。
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