[发明专利]合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法有效
| 申请号： | 200510086409.0 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1766142A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张涛;章安玉;纪云飞;马朝利 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;C22C14/00;C22C16/00;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟;成金玉 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；(2)将母合金剪切成小块，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上后，使其自然降至室温，取出样品。本发明只需简单的设备，在较低的温度下，从Zr－Ti合金直接制备相应的ZrTiO4单相粉末；与现有多元氧化物单相制备方法相比，制备工艺简单，无污染，而且节省时间。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 低温 直接 氧化 制备 单相 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1、一种合金低温直接氧化制备单相氧化物的方法，其特征在于包括下列步骤：(1)将金属Zr和Ti按摩尔比4∶6～7∶3称量，熔炼制成母合金；(2)将母合金剪切成0.3～0.7克的小块，置于控温设备中，升温至500℃以上，保温3小时以上，使其自然降至室温，取出样品。
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