[发明专利]一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是在衬底材料上按照常规MOSFET工艺形成栅电极图形后，以栅电极图形为掩模进行离子注入掺杂，在源漏处形成表面低掺杂的表面层和内部高掺杂的隐埋层。再在栅电极两侧形成侧墙，并以该侧墙为掩模分别在源漏两侧开槽以露出高掺杂的隐埋层，然后利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂层腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的孔洞，形成源漏下的绝缘层，从而实现源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管。

主权项

1.一种源漏在绝缘层上的MOS晶体管的制作方法，包括以下步骤：(1)在半导体衬底上形成浅槽隔离场区；(2)生长栅介质层；(3)淀积栅电极层和牺牲介质层，接着光刻和刻蚀形成栅电极图形；(4)以栅电极图形为掩模进行离子注入，在源漏处形成表面低体内高的掺杂浓度分布；(5)淀积牺牲侧墙介质层，回刻后在栅电极两侧形成侧墙，且使两侧衬底表面露出；(6)腐蚀所露出的衬底，到高掺杂层时停止腐蚀；(7)选择腐蚀高掺杂区，该腐蚀在到达低掺杂的沟道区时自停止；(8)淀积绝缘介质以填充刻蚀形成的空洞，回刻去除表面的绝缘介质；(9)腐蚀掉栅电极两侧和顶部的牺牲介质层，然后再淀积或热氧化生长形成另一薄介质层；(10)离子注入掺杂源漏区和栅电极，然后回刻上述薄介质层以形成新的栅电极侧墙；(11)最后进入常规CMOS后道工序，即可制得所述的MOS晶体管。