[发明专利]高读取电流的电子数据存储器件无效

专利信息
申请号: 200510086064.9 申请日: 2005-07-19
公开(公告)号: CN1728389A 公开(公告)日: 2006-02-01
发明(设计)人: 比约恩·菲舍尔;弗朗茨·霍夫曼;里夏德·约翰内森·卢伊肯;安德列亚斯·施皮策 申请(专利权)人: 印芬龙科技股份有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种存储器件布置在基板(401)上并具有至少一个存储单元(100)。所述存储单元包括存储电荷用的储能电容(200)和选择存储单元(100)用的选择晶体管。所述选择晶体管包括第一传导电极(301),第二传导电极(302)和控制电极(303)。由具有从基板(401)突起的鳍(405)的栅极单元(400)提供所述控制电极(303),所述的鳍被栅氧化层(406)和栅电极层(403)包裹,其中第一和第二栅极元件(408a,408b)设置在鳍(405)的相对侧向区域,而第三栅极元件(408c)设在与基板(401)的表面平行的鳍(405)的区域。
搜索关键词: 读取 电流 电子 数据 存储 器件
【主权项】:
1.一种电子数据存储器件,它被布置在基板(401)上,具有至少一个被布置成存储单元阵列的存储单元(100),所述至少一个的存储单元(100)具有:a)存储电荷用的储能电容器(200),所述电容器具有:a1)第一电容电极(201);a2)第二电极(202),它与第一电容电极(201)绝缘,并与基板(401)电连接;a3)在第一电容电极(201)和第二电容电极(202)之间引入的介电层(203);b)用以选择至少一个存储单元(100)的选择晶体管(300),所述晶体管具有:b1)第一传导电极(301),该电极与存储单元阵列的位线(BL)相连;b2)第二传导电极(302),它与第一电容电极(201)相连;b3)控制电极(303),它与存储单元阵列的字线(WL)相连;c)由具有从基板(401)突起的鳍(405)的栅极单元(400)给出所述控制电极(303),所述鳍由一层栅氧化层(406)和栅电极层(403)所包裹,以便在该鳍(405)的相对侧向区域形成第一和第二栅极元件(408a,408b);其特征在于,d)在与基板(401)表面平行的鳍(405)的区域中设置第三栅极元件(408c)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于印芬龙科技股份有限公司,未经印芬龙科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510086064.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top