[发明专利]高读取电流的电子数据存储器件无效
申请号: | 200510086064.9 | 申请日: | 2005-07-19 |
公开(公告)号: | CN1728389A | 公开(公告)日: | 2006-02-01 |
发明(设计)人: | 比约恩·菲舍尔;弗朗茨·霍夫曼;里夏德·约翰内森·卢伊肯;安德列亚斯·施皮策 | 申请(专利权)人: | 印芬龙科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种存储器件布置在基板(401)上并具有至少一个存储单元(100)。所述存储单元包括存储电荷用的储能电容(200)和选择存储单元(100)用的选择晶体管。所述选择晶体管包括第一传导电极(301),第二传导电极(302)和控制电极(303)。由具有从基板(401)突起的鳍(405)的栅极单元(400)提供所述控制电极(303),所述的鳍被栅氧化层(406)和栅电极层(403)包裹,其中第一和第二栅极元件(408a,408b)设置在鳍(405)的相对侧向区域,而第三栅极元件(408c)设在与基板(401)的表面平行的鳍(405)的区域。 | ||
搜索关键词: | 读取 电流 电子 数据 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种电子数据存储器件,它被布置在基板(401)上,具有至少一个被布置成存储单元阵列的存储单元(100),所述至少一个的存储单元(100)具有:a)存储电荷用的储能电容器(200),所述电容器具有:a1)第一电容电极(201);a2)第二电极(202),它与第一电容电极(201)绝缘,并与基板(401)电连接;a3)在第一电容电极(201)和第二电容电极(202)之间引入的介电层(203);b)用以选择至少一个存储单元(100)的选择晶体管(300),所述晶体管具有:b1)第一传导电极(301),该电极与存储单元阵列的位线(BL)相连;b2)第二传导电极(302),它与第一电容电极(201)相连;b3)控制电极(303),它与存储单元阵列的字线(WL)相连;c)由具有从基板(401)突起的鳍(405)的栅极单元(400)给出所述控制电极(303),所述鳍由一层栅氧化层(406)和栅电极层(403)所包裹,以便在该鳍(405)的相对侧向区域形成第一和第二栅极元件(408a,408b);其特征在于,d)在与基板(401)表面平行的鳍(405)的区域中设置第三栅极元件(408c)。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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