[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。在非易失性半导体存储装置的存储单元排列形成区域形成为形成多条字线的第一导电膜，在半导体装置形成区域形成第二导电膜。通过第一干蚀刻在第一导电膜中形成开口部，使存储单元排列形成区域中的字线互相保持着间隔布置后，再在开口部形成字线的侧壁绝缘膜。通过湿蚀刻除去侧壁绝缘膜中位于字线端部附近区域的部分。通过第二干蚀刻除去第一导电膜中位于字线端部附近区域的部分。形成第一导电膜中的开口部时，在第一导电膜中形成开口部后的残留部分在位于存储单元排列形成区域的外部区域的半导体衬底中的活性区域上与形成为与活性区域电连接的第二导电膜连接。能控制因形成侧壁绝缘膜等工序中产生的充电而造成的损坏。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置的制造方法，包括：在半导体衬底上的非易失性半导体存储装置的存储单元排列形成区域形成用以形成多条字线的第一导电膜，同时在所述半导体衬底上的半导体装置形成区域形成第二导电膜的工序，通过用第一掩模的第一干蚀刻在所述第一导电膜中形成开口部，使所述存储单元排列形成区域中的所述字线互相保持着间隔布置的工序，在形成在所述第一导电膜中的所述开口部形成所述字线的侧壁绝缘膜的工序，通过用第二掩模的湿蚀刻除去所述侧壁绝缘膜中存在于所述字线端部附近区域的部分的工序，以及通过用第三掩模的第二干蚀刻除去所述第一导电膜中存在于所述字线端部附近区域的部分的工序，其特征在于：所述第一导电膜和所述第二导电膜由同一层导电膜形成，在所述第一导电膜中形成开口部的工序，是一个使所述第一导电膜中的所述开口部形成后残留下的部分，在位于所述存储单元排列形成区域的外部区域的所述半导体衬底中的活性区域上与形成为与所述活性区域电连接的所述第二导电膜连接的工序。