[发明专利]花状结构的纳米氧化铈基复合材料及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 200510085508.7 | 申请日： | 2005-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1899966A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | 孙春文;李泓;陈立泉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01F17/00 | 分类号： | C01F17/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有花状结构的纳米氧化铈基复合材料，其为平均粒径为100nm～100μm的粉体材料，每一个颗粒上生长厚为2～500nm薄片，呈花状结构。所述的氧化铈基复合材料为氧化铈与选自氧化镧、氧化铜、氧化锆、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锰、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氧化钒、氧化钨、氧化钼、氧化硅、氧化锌、氧化钆、氧化钇、氧化谱、氧化钐、氧化钪、氧化铕、氧化铒、氧化镱中的一种或两种氧化物形成的二元或三元复合氧化物；除氧化铈外的其它氧化物与氧化铈的摩尔比为0.001～0.5∶1。该复合材料具有非常大的比表面积，可以作为固体氧化物燃料电池的阳极材料或贵金属催化剂的支撑体。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 纳米 氧化 复合材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1、一种具有花状结构的纳米氧化铈基复合材料，其为粉体材料，粉体材料中每个颗粒的几何外观接近球形，平均直径为100nm～100μm，每一个颗粒上生长了厚度为2～500nm的薄片，每个薄片的取向和球表面垂直，呈放射状从内部向外，薄片和薄片之间相互连接在一起，呈花状结构；所述的氧化铈基复合材料为氧化铈与选自氧化镧、氧化铜、氧化锆、氧化钛、氧化铝、氧化镁、氧化锰、氧化铁、氧化钴、氧化镍、氧化钒、氧化钨、氧化钼、氧化硅、氧化锌、氧化钆、氧化钇、氧化谱、氧化钐、氧化钪、氧化铕、氧化铒、氧化镱中的一种或两种氧化物形成的二元或三元复合氧化物；除氧化铈外的其它氧化物与氧化铈的摩尔比为0.001～0.5∶1。
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