[发明专利]晶体管及形成应变沟道元件的方法有效
| 申请号： | 200510085273.1 | 申请日： | 2005-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1761072A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 黄怡君;王焱平;柯志欣 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管及形成应变沟道元件的方法，所述应变沟道晶体管包括第一材料所组成的基底。一由第二材料所组成的源极区是形成在基底的第一凹陷中，且一由第二材料所组成的漏极区是形成在基底的第二凹陷中。一由第一材料形成的应变沟道区是位于源极区和漏极区之间。一形成在应变沟道区上的堆叠栅极包括一位于一栅极介电层上的栅电极。一沿着栅电极侧壁的栅极间隙壁位于源极区和漏极区的至少的部分区域上。一盖层可形成于第二材料上，且源极区和漏极区可硅化。本发明是保存应变沟道元件的完整栅极结构。特别是，可避免或是减少栅极结构的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 应变 沟道 元件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管，所述晶体管包括：一基底，包括一第一材料；一源极区，邻接一第一绝缘区，该源极区包括形成在该基底中的一第一凹陷的第二材料，该第二材料和该第一材料的晶格常数不相同；一漏极区，邻接一第二绝缘区，该漏极区包括该第二材料，该第二材料是形成在主动区的一第二凹陷中；一应变沟道区，由该第一材料形成，且位于该源极区和该漏极区中间；一堆叠栅极，形成在该应变沟道区上，该堆叠栅极包括一栅电极位于一栅极介电层上；及其中至少该第一绝缘区和该第二绝缘区之一具有一沿着一侧壁的阶梯，该阶梯是对位到该第一材料和该第二材料的交界处。
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