[发明专利]紫外线阻挡层无效
| 申请号： | 200510085026.1 | 申请日： | 2005-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1734725A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 骆统;杨令武;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文披露了半导体结构与其形成方法。此方法包括下列步骤：提供初始半导体结构；于初始半导体结构上形成一层非硅层，此非硅层在波长小于约300nm时，具有大于0的消光系数；以及进行一个以等离子体为基础的工艺，于非硅层上形成一层膜层，此非硅层预防以等离子体为基础的工艺中所产生的紫外线辐射损伤初始半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，其特征是该方法包括下列步骤：提供初始半导体结构；于该初始半导体结构上形成非硅层，在波长小于300nm时，该非硅层的消光系数大于0；以及进行以等离子体为基础的工艺，以于该非硅层上形成膜层，该非硅层预防该以等离子体为基础的工艺中所产生的紫外线辐射损伤该初始半导体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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