[发明专利]半导体蚀刻装置无效
申请号: | 200510084875.5 | 申请日: | 2005-07-19 |
公开(公告)号: | CN1725451A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 崔成锡;朴珍俊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林宇清;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 半导体蚀刻装置包括静电卡盘,边缘环以及间隔物。静电卡盘包括环安装部分。边缘环具有外面部分和内部部分。外面部分具有大于环安装部分的高度的厚度,放置内部部分以接近环安装部分的竖直面。内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的上下表面相同高度分别向上和向下分级。间隔物具有环形,并配置在环安装部分的水平面上,支撑边缘环构件的内部部分,并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体蚀刻装置,包括:处理室内的静电卡盘,按固定距离向下凹陷固定深度以形成下台阶环安装部分的静电卡盘的顶部的周围区域;在一个本体中具有外面部分和内部部分的边缘环构件,外面部分具有大于静电卡盘的环安装部分的竖直面的高度的厚度,内部部分从外面部分的内径表面向内凸出以便接近环安装部分的竖直面,内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的内径上下表面相同高度分别向上和向下分级;以及具有环形并配置在静电卡盘的环安装部分的水平面上的间隔物构件,间隔物构件适合于支撑边缘环构件的内部部分的下表面,并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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