[发明专利]层压系统、IC片及片卷、以及用于制造IC芯片的方法有效
| 申请号： | 200510084624.7 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1722393A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 渡边了介;高桥秀和;鹤目卓也;荒井康行;渡边康子;樋口美由纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种层压系统，其中，用于密封薄膜集成电路的第二和第三基板之一在以加热熔融态挤压出的同时提供给具有多个薄膜集成电路的第一基板，其它辊子用于供应其它基板、接收IC芯片、分离和密封。通过旋转辊子可连续地进行以下步骤：分离在第一基板上设置的薄膜集成电路；密封分离的薄膜集成电路；和接收密封的薄膜集成电路。因此，极大地提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 层压 系统 ic 以及 用于 制造 芯片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种层压系统，包括：用于传送设有多个薄膜集成电路的第一基板的装置；用于在加热和熔融状态下挤压出热塑性树脂的同时在第一基板上提供热塑性树脂的装置；具有冷却装置的辊子，该辊子将薄膜集成电路的一面贴到由热塑性树脂形成的第二基板上并通过冷却在加热和熔融状态下提供的热塑性树脂将薄膜集成电路与第一基板分离；卷绕有第三基板的供应辊；用于在第二基板和第三基板之间密封与第一基板分开了的薄膜集成电路的装置；和卷绕密封的薄膜集成电路的接收辊。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510084624.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
