[发明专利]改进负偏压分配的浮置栅极非易失性存储器结构无效

专利信息
申请号: 200510084539.0 申请日: 2005-07-26
公开(公告)号: CN1734677A 公开(公告)日: 2006-02-15
发明(设计)人: 渡边一央 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种浮置栅极非易失性存储器由多个存储体(1)和将负偏压提供给多个存储体(1)的负偏压电源线(2)构成。多个存储体(1)中的每一个均包括:按照列排列的多个扇区(11),每个扇区包括多个浮置栅极存储单元;多个列解码器(13),分别与扇区(11)的列相关联;以及存储体解码器,通过存储体内电源线(15)与多个列解码器(13)相连。所选一个存储体(1)内的存储体解码器(12)将从负偏压电源线(2)接收到的负偏压提供给存储体内电源线(15)。列解码器(13)中的每一个响应于扇区(11)的列中相关一个的选中/非选中,根据从存储体内电源线(15)接收到的负偏压,产生负电压信号,并将负电压信号提供给扇区(11)的列中相关的一个。
搜索关键词: 改进 偏压 分配 栅极 非易失性存储器 结构
【主权项】:
1、一种浮置栅极非易失性存储器,包括:多个存储体;和将负偏压提供给所述多个存储体的负偏压电源线,其中所述多个存储体中的每一个均包括:按照列排列的多个扇区,每个扇区包括多个浮置栅极存储单元;多个列解码器,分别与所述扇区的所述列相关联;和存储体解码器,通过存储体内电源线与所述多个列解码器相连,其中所选一个存储体内的存储体解码器将从所述负偏压电源线接收到的负偏压提供给所述存储体内电源线,以及其中所述列解码器中的每一个响应于所述扇区的所述列中相关一个的选中/非选中,根据从所述存储体内电源线接收到的所述负偏压,产生负电压信号,并将所述负电压信号提供给所述扇区的所述列中所述相关的一个。
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