[发明专利]铁电存储器及其驱动方法无效
| 申请号： | 200510084195.3 | 申请日： | 2005-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1734665A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 山村光宏 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C7/00;G11C8/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可作为伪SRAM利用的的铁电存储器。该铁电存储器包括：包括：多个存储单元；以及控制部，在写入控制信号从第一逻辑值变化到第二逻辑值时，使存储单元存储数据信号所表示的存储数据，其中，在写入控制信号表示第一逻辑值时，控制部在第一存储单元上写入预备数据；在写入控制信号从第一逻辑值变化到第二逻辑值时，控制部使第一存储单元保持预备数据，或者在第一存储单元上写入存储数据，使存储数据存储在第一存储单元上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器，包括：多个存储单元；以及控制部，在写入控制信号从第一逻辑值变化到第二逻辑值时，使存储单元存储数据信号所表示的存储数据，所述铁电存储器的特征在于：所述控制部，在所述写入控制信号表示所述第一逻辑值时，在第一存储单元上写入预备数据；在所述写入控制信号从所述第一逻辑值变化到所述第二逻辑值时，使所述第一存储单元保持所述预备数据，或者在所述第一存储单元上写入所述存储数据，使所述第一存储单元存储所述存储数据。
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