[发明专利]具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种具有预防裂痕的环状结构的半导体装置及其制造方法，以避免在分割成晶粒的过程中使集成电路产生破裂及脱层的现象。本发明的破痕预防环状结构垂直延伸穿入一半导体工件，并且到达集成电路的金属层。此外，破痕预防环状结构与集成电路的测试垫制程相同，故可同时完成制程。此破痕预防环状结构内可形成一气室于集成电路的保护层下方。此气室可以金属或半填满增加预防破痕的结构强度。本发明亦于破痕预防环状结构与集成电路之间形成密封环状区域。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于其至少包含：一工件；一覆盖于该工件的集成电路，该集成电路包括复数个电性连接至该些集成电路的金属层，且该些金属层包括一第一金属层以及至少包括位于该第一金属层上的一第二金属层，其中每一金属层位于一绝缘层上；以及一位于该些集成电路的外部边缘的破痕预防环状结构，该破痕预防环状结构包括一导电层并且延伸至该第二金属层。