[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

一种非易失性半导体存储器件(1)具有衬底(10)、浮置栅(40)、掩埋栅(30)、控制栅(50)和源/漏区(61，62)。衬底(10)具有形成于第一方向(X)上的沟槽(20)。浮置栅(40)通过第一栅绝缘膜(11)形成在沟槽(20)外部的衬底(10)的表面上。掩埋栅(30)通过第二栅绝缘膜(21)形成在沟槽(20)的表面上。形成的控制栅(50)通过第三栅绝缘膜(31)覆盖浮置栅(40)。源/漏区(61，62)形成在低于浮置栅(40)的衬底(10)中。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，包括：衬底，具有形成于第一方向上的沟槽；浮置栅，通过第一栅绝缘膜形成在所述沟槽外部的所述衬底的表面上；掩埋栅，通过第二栅绝缘膜形成在所述沟槽的表面上；控制栅，形成为通过第三栅绝缘膜覆盖所述浮置栅；以及源区和漏区，低于所述浮置栅形成在所述衬底中。