[发明专利]半导体激光器元件的制造方法有效
| 申请号： | 200510083639.1 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1722554A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 川户伸一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种具有更高成品率的半导体激光器元件的制造方法。具有覆层、中间层和盖层的半导体激光器元件如下制造。在层压步骤中，沿层压方向层压多个层压层。接着，在突出步骤中，形成覆层、盖层和中间层的前体，使得覆层和盖层的宽度方向的长度沿层压方向变短或均匀，而中间层的前体沿宽度方向从覆层和盖层突出。在去除步骤中，去除中间层前体的突出体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器元件(30，30A)的制造方法，所述半导体激光器元件具有脊部(43)，所述脊部包括覆层(44)、盖层(46)和其间的中间层(45)，所述方法包括：层压步骤(a1)，在半导体衬底(36)上沿层压方向层压多个层压层；突出步骤(a2，a3，b2，b3)，在所述层压步骤(a1)之后，形成覆层(44)、盖层(46)和中间层(45)的前体(60)，使得所述覆层(44)和所述盖层(46)的宽度方向的长度随着在所述层压方向上的推进而变短或均匀，而所述中间层(45)的前体(60)沿宽度方向从所述覆层(44)和所述盖层(46)突出；以及去除步骤(a4，b4)，去除所述中间层(45)的前体(60)的突出体(65，65a，65b)以形成化合物半导体多层结构(31)。
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