[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510083385.3 | 申请日： | 2005-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1841668A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 寺山智;松木浩久 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;潘培坤 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该方法是在衬底的一个主表面上形成有多个半导体芯片的半导体衬底通过切块法被切割成多个半导体芯片。在衬底的一个主表面上执行第一切割工艺，以在多个半导体芯片的两个相邻半导体芯片之间产生两个切割凹槽，每个切割凹槽与多个半导体芯片中的相邻半导体芯片其中之一相邻。在衬底的另一主表面上执行第二切割工艺，以产生与由第一切割工艺产生的两个切割凹槽交叠的切割凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其中通过切块法将在衬底的一个主表面上形成有多个半导体芯片的半导体衬底切割成所述多个半导体芯片，该方法包括如下步骤：在该衬底的一个主表面上执行第一切割工艺，以在所述多个半导体芯片的两个相邻半导体芯片之间产生两个切割凹槽，每个切割凹槽与所述多个半导体芯片中的所述相邻半导体芯片其中之一相邻；以及在该衬底的另一主表面上执行第二切割工艺，以产生与由该第一切割工艺产生的两个切割凹槽交叠的切割凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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