[发明专利]具有改进的单元稳定性的静态随机存取存储器阵列有效
| 申请号： | 200510083280.8 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1755836A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈远洪;拉齐夫·V·约什;多纳德·W·普拉斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C7/00;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了CMOS静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列，包括该阵列的集成芯片，以及访问具有改进单元稳定性的阵列的单元的方法。连接到阵列中半选单元的位线在单元访问期间被浮动以改进单元稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 单元 稳定性 静态 随机存取存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路芯片，包括：以行和列排列的存储单元阵列；联接到每一所述列的列恢复器，所述列恢复器选择性地将列箝位至电源电压；行选器，其响应于行地址从所述阵列的所述行中选择行，所选的行半选所述行中的所述存储单元；以及本地列浮动脉冲发生器，其响应于所述行存储单元的半选，对所述列恢复器发出脉冲，所述列恢复器使包括所述行中所述存储单元在内的列浮动。
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