[发明专利]电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法

摘要

本发明是有关于一种电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法。该存储器包括半导体主体、多数个栅极，这些栅极串联排列在半导体主体上。在半导体主体上的电荷存储结构包括位于多数个栅极中的栅极下方的电荷捕捉区域。第一回路系统，用以传导源极偏压与漏极偏压至栅极串列中第一栅极附近与最终栅极附近的半导体主体。第二电路系统，用以传导栅极偏压至多数个栅极。包括连续的多重栅极通道区，此多重栅极通道区位于栅极串列中多数个栅极下方。在一些或全部的栅极之间，此多重栅极存储器单元具有电荷存储区。

主权项

1、一种集成电路存储器元件，其特征在于其包括：半导体主体；多数个栅极，串联排列于该半导体主体上，以多数个隔离构件隔离串列中的相邻该些栅极，该些栅极包括该栅极串列中的一第一栅极与一最终栅极；电荷存储结构，配置于该半导体主体上，该电荷存储结构包括多数个电荷捕捉区域，该些电荷捕捉区域位于该栅极串列中超过一个该些栅极之下；第一电路系统，用以传导源极偏压与漏极偏压至该栅极串列中第一栅极附近与最终栅极附近的半导体主体；以及第二电路系统，用以传导栅极偏压至该些栅极；其中该半导体主体包括连续的多重栅极通道区，该多重栅极通道区位于该栅极串列中该些栅极之下，且该多重栅极通道区具有n型导电性与p型导电性其中之一；以及控制器，用以控制传导源极和漏极偏压的电路系统与传导栅极偏压的电路系统，以在位于栅极串列中的超过一个的栅极的每个栅极之下的电荷捕捉区域存储数据，该控制器被排列为控制位于栅极串列中的超过一个的栅极的每个栅极之下的电荷捕捉区域的编程步骤、擦除步骤和读取步骤，并且其中的擦除步骤包括擦除位于多重栅极存储器单元中的栅极串列中的一个选择的栅极之下的存储区域，而不擦除位于栅极串列中的另一个栅极之下的存储区域。