[发明专利]半导体膜的结晶方法和显示设备的制造方法无效
| 申请号： | 200510082566.4 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1719583A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 千本松茂;山本修平;杉野谷充;松村英树;增田淳 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/324;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过用脉冲激光扫描结晶化半导体膜的常规方法具有以下问题，其中晶粒的颗粒直径或形状导致薄膜晶体管的特性变化，其降低了液晶显示器的显示质量。鉴于此，在根据本发明的半导体膜的结晶方法中，在用第一脉冲激光进行扫描的步骤之后，在与第一脉冲激光扫描的移动方向基本正交的方向上用第二脉冲激光进行扫描，第二脉冲激光具有比第一脉冲激光更高的能量密度。利用这种方法，可以使半导体膜均匀地结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结晶 方法 显示 设备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体膜的结晶方法，其中通过用脉冲激光扫描将半导体膜形成为多晶半导体膜，包括如下步骤：用第一脉冲激光扫描半导体膜；以及在与第一脉冲激光的扫描方向基本正交的方向上，用第二脉冲激光扫描半导体膜，其中第一脉冲激光的能量密度低于第二脉冲激光的能量密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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