[发明专利]晶片分割方法有效
| 申请号： | 200510082228.0 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1716566A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 冈田纯 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶片分割方法，用于沿第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来分割晶片，该晶片在其正面上具有多个由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分出的矩形区域，该晶片分割方法包括一个在晶片正面沿该芯片间隔形成槽的槽成型步骤和一个在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤。由槽成型步骤形成的槽包括具有第一深度D1的槽和具有第二深度D2的槽，且第二深度D2大于第一深度D1(D2＞D1)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片分割方法，用于沿第一组相互平行延伸的多个芯片间隔和第二组相互平行延伸并垂直于第一组芯片间隔的多个芯片间隔来分割晶片，该晶片在其正面上具有多个由第一组芯片间隔和第二组芯片间隔划分出的矩形区域，该晶片分割方法包括在晶片正面沿该芯片间隔形成槽的槽成型步骤和在槽成型步骤之后磨削晶片背面的磨削步骤，以及其中由槽成型步骤形成的槽包括具有第一深度D1的槽和具有第二深度D2的槽，且第二深度D2大于第一深度D1(D2＞D1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪斯科，未经株式会社迪斯科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510082228.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：玻璃板的加热方法及加热炉
- 下一篇：带旋转规制机构的2轴铰链
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
