[发明专利]像素结构与其制造方法有效
| 申请号： | 200510082152.1 | 申请日： | 2005-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1710469A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘圣超;尤建盛;李春生 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素结构，包括形成于基板上的薄膜晶体管与储存电容，薄膜晶体管具有栅极电极以及有源层，有源层至少包括源极区以及漏极区，且源极区以及漏极区掺杂第一掺杂物；以及储存电容，形成于基板上，储存电容具有下电极以及上电极，下电极掺杂第二掺杂物，第一掺杂物以及第二掺杂物为相异型，且源极区以及漏极区与下电极不相连。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种像素结构，包括：一薄膜晶体管，形成于一基板上，该薄膜晶体管具有一栅极电极以及一有源层，该有源层至少包括一源极区以及一漏极区，且该源极区以及该漏极区具有一第一掺杂物；以及一电容，形成于该基板上，该电容具有一下电极以及一上电极，该下电极与该漏极区电连接，且该下电极掺杂一第二掺杂物，其中该第一掺杂物以及该第二掺杂物具有不同的掺杂类型。
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